（原标题：日本功率半导体免息炒股配资，大撤退）
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半导体行业的赛道热度，从来都是技术迭代与市场需求共同催生的动态图景。
当下，AI芯片在大模型浪潮推动下需求井喷，HBM以其高带宽特性在数据存储领域大放异彩，先进制程与先进封装也在持续突破，抢占着行业的聚光灯。
相比之下，一度被全球资本追逐的“明星赛道”——功率半导体行业的“光环”逐渐被这些新兴热点覆盖，显得些许冷清。
在这波热度更迭中，全球功率半导体的竞争格局也正发生微妙变化。曾经手握技术与产能优势、计划大力扩产以巩固地位的日本厂商，其扩产进程屡屡陷入“拖延”困境，从项目启动到产能落地的节奏远不及预期，往日的行业主导力渐显疲态；与之相对，国内功率半导体产业则抓住机遇加速突围，在技术攻坚、产能建设与市场份额争夺中持续发力，以强劲的“反扑”姿态逐步打破原有格局，为全球产业竞争注入新的变量。
不难看到，从热点退潮到格局生变，功率半导体行业正站在新的十字路口。
日本功率半导体，疲态尽显
近年来，随着新能源汽车、光伏、风电等产业的快速发展以及宽禁带半导体材料等新技术的应用推广，功率半导体产业将迎来更加广阔的发展。
日本厂商在功率半导体领域一直以来具有较强的竞争力，高峰时，三菱电机、富士电机、东芝、瑞萨、罗姆等日本厂商在全球功率半导体市场占有率排名前十中占据了五个席位。据Omdia 2021年数据显示，三菱电机（第4）、富士电机（第5）、东芝（第6）、瑞萨（第9）、罗姆（第10）这五家企业合计占有全球20%以上的功率芯片市场份额。
笔者曾在《》一文中，详细介绍了日本功率半导体厂商的规划和布局，有兴趣的读者可以自行挑战查看。
同时，日本政府在推动功率半导体发展上扮演着积极的角色。去年5月，日本政府发布关于发展半导体的增长战略草案，旨在到2030年前将日本企业在全球功率半导体的市占由目前20%左右提高至40%。日本经济产业省（METI）也正在通过推出补贴政策来支持功率半导体产业，展现出志在必得的扩张野心
然而，现实的发展并未如日本大厂们预期的那般顺利。尽管日本在功率半导体领域具有举足轻重的地位，但随着全球竞争加剧、技术发展与市场需求变化，日本功率半导体产业迎来市场和行业变迁所带来的挑战，优势逐渐消失，曾经野心勃勃的扩产计划也一拖再拖。
从2024年全球功率半导体市场TOP10榜单来看，日本厂商仅剩三席，且全球市占率均不足5%。
日本功率半导体厂商，陷入困局
从当前企业动态和进展来看，日本功率半导体产业陷入了重重困境，撤退之势愈发明显。
罗姆：投资势头放缓
罗姆，这家在功率半导体领域曾勃勃雄心的企业，与当下的发展态势形成鲜明反差。
在财务数据上，截至2025年3月的财年，罗姆公司录得500亿日元净亏损，这是其12年来首次全年亏损。而在截至6月的季度，虽录得29亿日元净利润，却同比下降14%。据报道，罗姆2025财年第一季度的营收为1162.05亿日元，同比下降1.8%，营业利润更是大幅下降84.6%至1.95亿日元。
从市场需求端来看，作为罗姆功率半导体最大需求方的电动车市场，增长步伐放缓，这对其营收产生了极大的冲击。与此同时，来自中国新兴企业的激烈竞争，正持续侵蚀着罗姆的利润空间。
为应对需求疲软，罗姆不得不调整投资策略。原计划在2025财年起的三年内对碳化硅（SiC）半导体投资2800亿日元，如今考虑将投资额缩减至1500亿日元。资本支出也随之收缩，罗姆预测2025财年的资本支出将较上一财年下降36%至850亿日元，预计折旧费用将下降26%至616亿日元。
在产能扩张与产品开发计划方面，罗姆同样进展不顺。近年来，罗姆积极投资于宫崎县新功率半导体工厂等设施，计划通过扩大产能、向8英寸平台过渡以及推出新一代功率SiC器件和模块，大幅提升功率SiC业务收入。其中，新工厂已开始SiC基板的试生产，并计划于2026年春季开始SiC功率半导体的量产。但目前投资势头已放缓，产能扩张速度远不及预期。
在产品开发上，尽管罗姆加速推出下一代SiC功率半导体，2024年6月宣布第六代产品将比原计划提前一年上市，从2028年提前至2027年，原定于2029年上市的第七代产品也提前至2028年上市，第五代SiC MOSFET产品预计将于2025年以质量评估样品的形式提供，第八代产品的开发已进入模拟设计阶段。可即便如此，面对来势汹汹的中国竞争对手，罗姆仍倍感压力。罗姆功率器件业务负责人Kazuhide Ino坦言，如果开发速度无法超越中国竞争对手，罗姆将无法在市场上取得成功。罗姆甚至承认，中国制造商在SiC基板功能方面已达到顶级水平。
此外，罗姆新任社长东克己在分析公司产品时表示：“部分产品市场表现良好，但目前已缺乏罗姆独有的特色产品。”这一言论也从侧面反映出罗姆在产品竞争力上的不足。
展望未来，东克己计划“强化与客户的联系，开发契合市场需求的产品”，并“考虑实施组织变革，让研发人员能够专注于产品研发”。公司高层也在持续研讨深化与东芝于2024年3月宣布建立的半导体业务合作关系，试图以此寻求新的发展机遇，然而成效仍有待时间检验。
东芝：本土进展寥寥，瞄准中国供应商
近年来，东芝在功率半导体板块的发展之路也布满荆棘。
在合作拓展方面，东芝与罗姆的深度合作陷入僵局，2024年初宣布的深化合作讨论已“停滞”。
此前，双方进行了两轮合作谈判，第一轮于2023年12月宣布制造合作，旨在利用彼此工厂降低投资成本；第二轮罗姆提出更广泛合作意向，涉及研发、销售和采购等多方面。2023年，罗姆向东芝投资3000亿日元，作为东芝私有化收购案的一部分，彼时双方优势互补，被市场寄予厚望。
然而，如今实质性进展寥寥，消息人士称罗姆已“放弃”在共同制造之外寻求更深入合作的努力。尽管罗姆表示共同制造稳步推进，更广泛合作谈判仍在进行，东芝也坚称共同制造按计划开展，但对更广泛合作不予置评，这与东芝此前的回应一致，足见其合作拓展计划严重受阻。
从投资回报来看，东芝在功率半导体领域也未达预期。2023年东芝将功率半导体业务定位为增长领域，计划在截至2026财年的三年内共计投资约1000亿日元。虽有兵库县姬路半导体工厂新厂房竣工，将承担IGBT等功率半导体后道封装业务，产品供应日本汽车相关厂商；石川县加贺工厂也已建成，用于制造12英寸IGBT晶圆，投入运营后汽车功率半导体产能比2022财年增加一倍以上。但市场环境变幻莫测，电动汽车需求半停滞，即便电动化趋势未改，可短期内东芝功率半导体业务难从大规模投资中获取足够回报。
此外，全球功率半导体市场竞争激烈，东芝面临来自各方的挑战。中国新兴企业不断崛起，在成本控制与市场响应速度上具有优势，正逐步蚕食东芝的市场份额。老牌竞争对手也在持续发力，不断推出新技术、新产品，压缩东芝的生存空间。
能看到，在当前大环境下，东芝在功率半导体领域的动作愈发放缓，若无法进一步在合作、投资策略以及技术创新等方面做出有效调整，未来发展之路将愈发艰难。
在撰稿期间，前方传来东芝与天岳先进签署谅解备忘录（MOU）的消息。根据该备忘录，双方将探讨合作提升天岳先进开发和生产的碳化硅（SiC）功率半导体晶圆的特性和质量，并扩大天岳先进向东芝供应稳定、高质量的晶圆。
瑞萨电子：放弃SiC
瑞萨电子在功率半导体领域的发展，也可谓深陷泥沼、危机四伏。
2025年上半年，瑞萨电子净亏损1753亿日元，创下同期历史最高亏损记录，这一数据直观地展现出其当下糟糕的财务状况。
然而祸不单行，瑞萨电子6月无奈宣布放弃进入碳化硅市场的计划。这一决定背后，是诸多复杂因素交织。而碳化硅市场局势的变化正是关键因素之一。碳化硅虽未 “退潮”，但泡沫与现实的边界正逐渐显现。瑞萨的退出不是终结，而是一个信号：SiC不再是所有厂商的 “必选项”，而是成为真正有产能兑现力与成本控制力者的赛场。
从市场需求端来看，一方面电动汽车市场增长的缓慢态势，极大地冲击了碳化硅芯片的需求预期。瑞萨电子此前试图扩大功率芯片产能，将宝押在不断增长的电动汽车需求上，期望借此提振基于碳化硅构建的芯片市场，然而日本在电动汽车普及速度上，远不及中国或欧洲，作为与日本汽车制造商关系密切的功率芯片公司，瑞萨电子深受其害。
另一方面，来自中国的竞争愈发激烈，市场份额不断被蚕食。伯恩斯坦研究公司分析师David Dai指出，功率芯片制造商陷入困境的最大原因是与中国公司的价格战，而瑞萨电子显然在这场价格博弈中处于劣势。
在这样的市场周期下，对所有仍坚守SiC赛道的玩家而言，技术投入不再是唯一护城河，资本结构、产能兑现节奏、客户结构与供应链安全，正在成为决定生死的新变量，而瑞萨电子在这些方面显然未能占据优势。
与此同时，瑞萨电子还受到美国公司Wolfspeed破产的沉重打击。Wolfspeed作为碳化硅芯片衬底制造商，曾与瑞萨电子签订长期供货协议，瑞萨早在2023年就向Wolfspeed支付20亿美元定金，以锁定未来十年的SiC晶圆供应，可如今Wolfspeed资金链紧张、产能难以兑现，濒临破产，这使得瑞萨电子不仅20亿美元预付款面临打水漂风险，还遭遇了原材料供应危机，规模化生产SiC计划彻底落空。
在产能与人员规划上，瑞萨电子同样举步维艰。原定于2025年初开始的大规模功率半导体生产被迫推迟，数据显示，截至2024年12月的三个月内，公司制造设施产能利用率仅约30%，相较于上一季度的约40%进一步下滑。为削减成本，缓解经营压力，瑞萨电子计划在日本和海外的21000个岗位中，裁减不到5%（约1050人）的员工。
不仅如此，瑞萨电子因为中断利用碳化硅材料开发新一代功率半导体的项目，原计划2025年在群马县高崎工厂启动的量产计划取消，碳化硅产品团队也已解散，后续量产时机仍在重新评估之中。
不难看到，曾经踌躇满志的布局，如今化作泡影，瑞萨电子在功率半导体领域的发展，正面临前所未有的挑战，未来发展之路迷雾重重。
三菱电机：投资缩减、扩建推迟
曾几何时，三菱电机对功率半导体业务满怀憧憬，布局雄心勃勃。2023年3月，其宣布计划在5年内投资约1000亿日元，用于建设新的8英寸SiC工厂并加强相关生产设施，彼时规划该厂房于2026年4月投入运营，还计划在熊本县合志市的工厂增强150毫米晶圆生产设备，在功率器件制作所（福冈市）投资100亿日元建设新厂房用于后制程，并预计到2026年度，晶圆产能大幅增加至2022年度的5倍，目标是到2030财年将功率半导体业务中SiC的销售额比例提高到30%以上。甚至一度宣布位于熊本县正在建设的SiC晶圆厂将提前至2025年11月开始运营，工厂完工时间定为2025年9月。
然而，市场的风云变幻远超预期，如今三菱电机在市场浪潮中也显露出诸多颓势。
当下，三菱电机不得不直面发展受阻的困境。其位于熊本县、原定今秋投产的功率半导体新工厂的扩建计划已被推迟。原本规划在2026至2030财年的五年间豪掷3000亿日元用于发展，如今却陷入了投资额缩减的考量之中。
在当前市场需求变缓、市场竞争加剧的大环境下，三菱电机即便前期做了诸多准备，也难以抵挡市场下行的压力，投资计划被迫调整，未来发展增添了诸多不确定性，曾经的宏伟蓝图如今正面临严峻挑战。
富士电机：营收下降，措手不及
在财务表现上，2024财年富士电机净利达到1,188亿日元，同比增长10.1%，但因市场环境的急剧变化，其2025会计年度净利预计下降12.2%，至810亿日元。从业务板块来看，电动车（EV）用功率半导体订单的减少，给富士电机带来了沉重打击。半导体设备营收下降5.8%，营益更是锐减42%，仅剩215亿日元。
与之形成鲜明对比的是，其能源和工业设备业务表现相对较好，能源事业营收预计增长5.7%，营益增长38%；工业设备营益增长19%，凸显出功率半导体业务的发展不利。
全球市场竞争的加剧，让富士电机的处境愈发艰难。在全球功率半导体市场中，中国新兴功率半导体企业正凭借成本与价格优势，加速抢占市场份额。富士电机曾经引以为傲的产品优势，正逐渐被削弱。
在国内市场，富士电机更是面临着巨大挑战。欧美外资品牌在中国市场掀起了降价潮，降价幅度超过30%，这一举动虽为无奈之举，试图通过价格战延缓国产SiC和IGBT模块的替代进程，但也侧面反映出富士电机在面对中国本土企业竞争时的无力感。像比亚迪半导体、中车时代等国产IGBT厂商，在新能源汽车市场的份额从2019年的20%跃升至2023年的60%以上，富士电机在这一细分领域的市场空间被严重压缩。
市场需求的变化也让富士电机措手不及。富士经济调查显示，由于电动汽车需求放缓、工厂自动化投资下降以及中国经济增长态势的转变等因素，功率半导体市场在2024年遭受库存积压的冲击，这对富士电机的生产与销售计划产生了极大的干扰。
为了应对市场环境的变化，富士电机也在尝试通过合作来寻求突破。2025年，电装收购了罗姆约5%股份，并与富士电机在碳化硅领域建立合作关系，期望借助合作开发新技术、拓展市场。然而，过往日本企业间的合作困境重重，各公司产品线广泛且对专有技术保密甚严，导致合作推进缓慢。富士电机此次合作能否打破僵局，取得实质性成果，仍充满不确定性。
日本功率半导体困局，原因何在？
在全球功率半导体的激烈竞争格局中，日本企业曾经占据着领先地位，如今却深陷颓势，面临着诸多严峻挑战，造成这一问题的原因可归结为内外两部分因为。
一方面，内部整合艰难：
缺乏信任与协作：从企业内部来看，各家公司对自身专有技术过度保护。一位日本大型芯片制造商的资深员工透露，公司的生存高度依赖能否开发出契合客户规格的产品，所以在产品规格信息共享方面极为谨慎，生怕专有技术泄露，即便是对客户也小心翼翼。这种对技术泄露的担忧，使得企业间难以建立起深度信任，而信任恰是深度整合与协作的基石。并且，由于每家企业都拥有广泛的产品线，在协调过程中，从生产安排到技术融合，都面临着诸多难题，极大地阻碍了企业间的合作进程。
无明确领导者：在整个行业层面，日本功率半导体领域缺乏一个能够主导整合的龙头企业。目前各企业市场份额相当，且各自具备独特优势，没有一家企业愿意在整合过程中做出让步，缺乏核心引领者来统筹规划，使得大规模的行业整合难以推进。
战略差异：以罗姆为例，它于1954年在京都成立，最初是收音机电阻器制造商，之后凭借专业元件制造取得成功，这种独立发展起来的模式与东芝、三菱电机等隶属于大型电子或汽车集团的企业有着截然不同的文化与战略目标。罗姆更专注于特定元件领域，而东芝和三菱电机的业务范畴更为广泛，战略重心的不同使得它们在寻求合作时，难以达成一致。
另一方面，外部竞争压力也是日本功率半导体产业衰退的关键：
中国企业的崛起：中国新兴功率半导体企业发展迅猛，在全球市场上迅速抢占份额。在碳化硅基板制造市场，天科合达和天岳先进等企业已崭露头角，甚至可以说中国企业几乎主导了这一市场。中国企业不仅在产能上不断扩张，而且凭借国内庞大的电动汽车市场需求，能够实现规模化生产，有效降低成本。同时，中国企业还能借助客户数据持续改进产品，进一步提升产品竞争力。在全球功率半导体市场，中国企业的价格优势也迫使日本企业陷入价格战的困境，不断压缩其利润空间。
市场需求变化：全球电动汽车市场的发展态势并未如日本企业预期的那样乐观。欧洲等地电动汽车市场增速低于预期，而日本在电动汽车普及方面，相较于中国和欧洲明显滞后。这使得日本功率半导体企业在面向电动汽车应用的芯片产能扩张计划受挫，前期大量的投资无法通过市场需求得以消化，造成产能过剩与投资回报不足的问题。
中国功率半导体崛起，日本承压加剧
在全球功率半导体领域，日本企业曾长期凭借深厚的技术积累与成熟的产业体系占据优势地位。然而，近年来中国功率半导体产业如同一颗迅猛升起的新星，以令人惊叹的速度布局、突破与进展，对日本产业和企业造成了巨大冲击，使得日本功率半导体行业的竞争力面临前所未有的严峻挑战。
《日经亚洲》8月20日的报道鲜明地指出，中国企业在硅（Si）和碳化硅（SiC）基板制造方面正逐步构建起完整的生产能力，依托低廉的能源成本与庞大的国内市场，实现了快速成长，其独特的垂直整合模式更是对日本企业形成了强有力的挑战。
尽管局势紧迫，但东芝、罗姆、三菱电机等日本厂商至今仍未能形成统一战线，协同应对竞争。业内专家直言，日本与中国企业在硅芯片技术上的差距或许仅一到两年，在碳化硅芯片方面也至多三年。日本企业此前高估了本土电动汽车市场的发展潜力以及自身在全球的竞争力，当下必须加速产业整合，才有可能提升成本竞争力。
天科合达与天岳先进作为碳化硅衬底领域的领跑者，逐渐打造出了“技术-产能-市场-国际化”的全链路体系。
其中，天科合达以17.3%的市场份额位居全球第二，其碳化硅衬底年产能覆盖北京、江苏、深圳等地，仅深圳基地2024年衬底和外延产能就达25万片；天岳先进则以17.1%的份额位列全球第三，不仅实现8英寸衬底量产，还率先推出12英寸衬底，推动单片晶圆芯片产出量提升40%以上。
在供应链端，天科合达和天岳先进已深度绑定国际大厂。英飞凌与两家企业签订长期供应协议，其SiC衬底采购量占比达两位数，而意法半导体通过与三安光电合资建厂，将中国作为其全球SiC制造基地之一；还有上文提到的，东芝与天岳先进日前新签署了一份谅解备忘录（MOU），根据该备忘录，双方将探讨合作提升天岳先进开发和生产的碳化硅（SiC）功率半导体晶圆的特性和质量，并扩大天岳先进向东芝供应稳定、高质量的晶圆。
这种合作模式不仅降低了国际大厂的成本，还加速了中国技术标准的全球化推广。
在终端应用领域，士兰微、基本半导体、三安光电等一众中国企业已实现关键突破，逐步替代海外进口产品。这些进展直接挤压了日本企业的市场空间——2024 年三菱电机、富士电机等日本厂商全球市场份额均不足5%，且面临中国企业在中低端市场的价格围剿和高端市场的技术追赶。
在氮化镓领域，英诺赛科作为全球首家实现8英寸硅基GaN晶圆量产的企业，自2023年以33.7%的收入份额稳居全球GaN功率器件市场第一以来，持续主导市场份额。其IDM全产业链模式（从设计、制造到封测）保障了产品稳定性，并为NVIDIA Kyber机架系统提供全链路GaN电源解决方案，成为其800V直流架构中唯一的中国供应商。近日，英诺赛科市值更是突破740亿港元大关，上市短短不到一年时间便跃升为功率器件企业市值TOP1，可见其实力非同一般。
中国功率半导体产业的快速发展，凭借成本优势、规模效应以及对市场的快速响应能力，从多方面对日本产业和企业造成了冲击，不断抢占市场份额。
在技术竞争上，中国企业的快速追赶压缩了日本企业的技术领先优势。曾经日本在功率半导体技术上大幅领先，但如今在硅芯片和碳化硅芯片技术方面，与中国企业的差距不断缩小。日本企业过往依赖的技术壁垒正逐渐被打破，若不能加快技术创新与产业整合，未来在技术竞争中将愈发被动。
在功率半导体产业版图中，局势瞬息万变。曾经，日本企业凭借深厚底蕴在该领域占据重要地位，可如今，却在重重挑战下艰难摸索前行之路。
回顾往昔，20世纪90年代，日本芯片产业因未能敏锐洞察行业从垂直整合向专业化分工转型的大势，致使富士通、NEC等行业巨擘走向没落，这无疑是一记沉重的历史警钟。
当下，功率芯片产业正站在命运的十字路口，中国企业凭借价格战与规模化优势，如同一股新兴的强大力量，强势搅动市场格局。
面对功率半导体产业的竞争困局，日本企业因产业碎片化、内部协作匮乏陷入被动，即便政府与企业已着手应对，产业整合步伐仍显迟缓，曾经的技术优势也在逐步缩小。正如日本毕马威FAS合伙人冈本纯所言，“电动汽车用功率半导体的需求要到2026年以后才会真正复苏”，在市场复苏尚需时日的当下，日本功率芯片产业的破局更需政府与企业协同发力、当机立断，若执着于短期利益而无法凝聚合力，恐难在全球竞争中守住阵地。
政府层面，虽已通过经济产业省推动设计与制造流程合作，并为富士电机-电装联盟、罗姆-东芝合作分别提供资金支持，但相较对尖端逻辑芯片项目的投入仍显不足。后续需进一步加大功率半导体领域资金扶持、优化投入结构，同时通过税收优惠、行政审批便利等政策，引导企业深化整合。
企业层面，则需彻底摒弃“各自为战”思维，一方面深化合作联盟——在研发端联合设中心攻克技术、销售端整合渠道拓展市场、供应链端协同降本保稳定；另一方面调整战略布局，摆脱对电动汽车单一领域的过度依赖，转向工业自动化、能源等需求增长领域开发差异化产品，以汇聚产业合力、开拓多元市场，扭转竞争劣势。
唯有如此，日本功率芯片产业才有可能在风云变幻的市场中，找准新的定位，重拾往日辉煌，在全球功率半导体产业的激烈竞争中赢得一席之地。
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